原位光電分析測(cè)試系統(tǒng)

      原位光電分析測(cè)試系統(tǒng)以掃描電子顯微鏡為基礎(chǔ)，集成陰極熒光譜、微納機(jī)械臂、外部電學(xué)測(cè)量等功能，構(gòu)建了一個(gè)直觀、實(shí)時(shí)和原位地研究先進(jìn)功能材料和器件物理性能的系統(tǒng)，不僅可以實(shí)現(xiàn)對(duì)納米材料或器件的原位發(fā)光的檢測(cè)和電學(xué)物性的測(cè)試、納米尺度的操作和控制、以及特定納米光電子器件的構(gòu)筑，還可以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)原位研究微納器件材料光電轉(zhuǎn)換過(guò)程的動(dòng)態(tài)信息。該系統(tǒng)主要由7個(gè)功能模塊組成，其型號(hào)及生產(chǎn)廠家如下：
（1）場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡，；
（2）陰極熒光光譜儀，；
（3）MM3A-EM電鏡微納操縱儀，德國(guó)Kleindiek Nanotechnik；
（4）半導(dǎo)體特性分析儀, 脈沖碼型發(fā)生器, 示波器,；
（5）s納米圖形發(fā)生器；
（6）電鏡冷凍臺(tái)，
（7）激光器
二、 主要參數(shù)
（1）場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
具有高真空功能、低真空功能和環(huán)境真空功能（需要更換部件），大束流200n A并且連續(xù)可調(diào)，典型換樣時(shí)間：高真空模式≤150秒；低真空及環(huán)境真空模式≤270秒。高真空30kV二次電子像分辨率：30kV時(shí)1.0 nm。
（2）陰極熒光光譜儀
光譜范圍160nm-1700nm；光譜分辨率0.07nm （1200gr/mm刻線, 400nm激發(fā)）
（3）電鏡微納操縱儀
納米和微米級(jí)移動(dòng)和厘米級(jí)的工作范圍，XY大不小于50mm, Z大12mm,XY大速率10mm/s, z軸大速率2 mm/s，精度指標(biāo)XY≤5nm, Z≤0.5nm, 漂移量<1nm /min。
（4）半導(dǎo)體特性分析儀/脈沖碼型發(fā)生器/示波器
直流測(cè)試：4個(gè)SMU，電壓測(cè)量范圍±100V, 電壓測(cè)量小分辨率0.5μV，電流測(cè)量范圍±100mA，電流測(cè)量小分辨率0.1fA；電容CV測(cè)試：頻率范圍1KHz~5MHz，頻率精度±0.008%；脈沖測(cè)量小脈寬10ns，波形電平100 mV 到20V。
（5）納米圖形發(fā)生器
具有DXF/DWG讀/寫(xiě)轉(zhuǎn)換- GDSII/CIF圖形導(dǎo)入功能，同步掃描頻率為5 MHz,兼容6 MHz，電子束停留時(shí)間小增量(定時(shí)精度)為0.5納秒, 矢量掃描刻寫(xiě)方式。
（6）電鏡冷凍臺(tái)
冷臺(tái)溫度可控范圍低至-190℃，溫度穩(wěn)定性優(yōu)于±0.5°C，冷阱溫度為-190℃。
（7）激光器
工作頻率10Hz，能量穩(wěn)定性< ±10%，指向穩(wěn)定性<±100微弧度，帶光學(xué)參量控制器（opo），opo控制輸出在192-2750nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)。